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来源:http://www.23blogs.com 编辑:w66利来国际老牌 时间:2019/02/19

  晶科能源技术白皮书

  一、多晶 vs 单晶—多晶的优势

  LID衰减

  LID(Light Induced Degradation):即光致功率衰减,一般组件运转初始阶段LID较高,之后随电池片硼氧复合体的逐年平稳下降,但理论数据和电站前史实测数据都证明多晶不管是第一年的初始光衰,第1~5年的光率,仍是今后的安稳光率都要显着低于单晶。所以单多晶供给的功率衰减质保和实测数据都是多晶更具优势。

  职业功率衰减线性质保:多晶功率衰减质保就较单晶低0.5%,相同功率组件,多晶寿数周期内保证的发电量就高于单晶。

  LID衰减实测:单晶初始LID光率较多晶高1.0%,光衰后单晶组件功率与标称功率距离明显大于多晶,导致单晶出厂后经光衰导致的发电量丢失高于多晶,由此带来的发电收益丢失高于多晶。

  初始LID越高,则安稳后组件功率与标称功率距离越大,则组件发电丢失越多,发电收益丢失越大。

  从图1和图2显现, 相同辐照量下,不管电池端,仍是组件端,单晶较多晶衰减均高1.00%,即单晶比多晶光衰率更高。

  安稳衰减:单多晶初始光衰的差异是因为硅片性质决议的,而之后的安稳衰减首要依据组件封装资料、工艺决议组件老化速度,所以和是单晶仍是多晶的硅片关系不大,安稳衰减方面,单多晶一线品牌都供给线性质保0.7%。

  CTM封装丢失

  CTM(Cell-to-Module):即从电池到组件的功率封装丢失,电池片在封装成为组件的过程中,封装前后发电功率会改变,一般称为CTM。

  CTM实测:单晶较多晶高2.0%以上,相同功率电池封装成组件,单晶功率低于多晶。

  单晶封装丢失:2-5%

  多晶封装丢失:-1~1%

  图3显现,单晶CTM均在2.0%以上,乃至高达5%,而多晶则在0.5%以内,乃至封装后功率有提高。

  这就是为什么单多晶终究组件功率的差异要小于电池片功率差异,在干流量产的功率输出上单多晶相差不多,以晶科和某品牌为例,其60片多晶的量产干流功率档265-275W,而某品牌单晶相同在270-275W。

  CTM差异原因:从电池到组件,因为电池与组件发电面积与光学反射原理差异,单晶光学利用率的下降及有用发电面积的削减,均较多晶更高,www.w66.com。导致单晶CTM高于多晶。

  1)电池与组件反射率的巨大差异:单晶硅片反射率约10%,电池片反射率约2%;多晶硅片反射率约20%,电池片反射率约6%。就电池片而言反射率多晶不如单晶,这是惯例多晶功率低于单晶的首要原因;但当电池封装成为组件今后,组件的反射根本发生在玻璃外表,玻璃反射率约4%,这样单晶电池片原本在反射率上的优势就被献身掉了。这也是为什么多晶的封装丢失可能乃至呈现负值,是因为多晶电池被封装今后,电池外表反射率大幅下降,电池实践接受到的光线获得了增益,所以功率可能不降反升。

  图4 单多晶电池到组件—外量子功率EQE及反射率Ref-改变

  2)外量子功率EQE:多晶,短波区域(380-560nm区域),组件较电池更高,即该波段区域,组件对光子的利用率更高;而单晶,整个波段,组件较电池均有明显下降,即整个波段组件对光子的利用率均小于电池。

  此外,多晶,长波区域(900-1200nm),组件较电池更低,即该波段区域,组件反射的光少于电池;而单晶,在该长波区域,组件与电池反射率适当,组件反射的光与电池适当。